Upassbar konstante Stroum elektronesch Laascht - charge Schatz Tester - alternd Offlossquantitéit Modul - Schnellladungs- an Entladungswiderstand

Fuerschung Fortschrëtt vun Fluxgate Sensor baséiert op Mikro Electro Mechanical System (MEMS)

Dem Chen Jiamin seng Equipe vun der Chinesescher Akademie vun de Wëssenschaften: Fuerschung Fortschrëtter op Fluxgate Sensoren baséiert op microelectromechanical Systemer (MEMS).

Fuerschung Fortschrëtt vun Fluxgate Sensor baséiert op Mikro Electro Mechanical System (MEMS)

Dem Chen Jiamin seng Equipe vun der Chinesescher Akademie vun de Wëssenschaften: Fuerschung Fortschrëtter op Fluxgate Sensoren baséiert op microelectromechanical Systemer (MEMS)

Déi folgend Artikele sinn aus dem redaktionnellen Departement vun magnetesche Materialien an Apparater, an den Auteur ass aus der redaktionneller Departement vun Magnetic Journal

Equipe Aféierung

Mr. Chen Jiamin, Fuerscher vun der "Staat Schlëssel Laboratoire vun Sensing Technology" vum Aerospace Information Innovation Institute vun der Chinesescher Akademie vun de Wëssenschaften, engem Dokter Supervisor, e Kandidat vun der "Honnert Talenter Programm" vun der chinesescher Akademie vun de Wëssenschaften, e spezielle Fuerscher (Gemeinschaft) vun der Japan Society for the Promotion of Science (JSPS), IEEE Magnetics Member vun der Gesellschaft, Member vum Nationalrot fir Materialien an Apparater Magnéitmaterial Expert Group Expert.

Adjustable constant current electronic load - charging treasure tester - aging discharge module - fast charge and discharge resistor

Upassbar konstante Stroum elektronesch Laascht - charge Schatz Tester - alternd Offlossquantitéit Modul - Schnellladungs- an Entladungswiderstand

 

Hien huet sech mat der Fuerschung vun neie Sensingmaterial beschäftegt, magnetesch Sensoren, spintronic Physik, Materialien an Apparater fir eng laang Zäit. Hien huet presidéiert a matgemaach a Japan "Disruptive Technologie Innovatiounsplang" Projet, der Japan Society for the Promotion of Science de wëssenschaftleche Fuerschungsfong Basis Fuerschung S-Niveau Projet, A-Niveau Projet, B-Niveau Projet, spezielle Fuerscherprojet an Advanced Storage Technology Association Projet, etc., an ass am Moment zoustänneg fir national Schlësselfuerschung an Entwécklung Et gi vill wëssenschaftlech Fuerschungsprojete wéi geplangte jonke Wëssenschaftlerprojet, National Natural Science Foundation Projet, Beijing Natural Science Foundation Projet, Chinesesch Akademie vun de Wëssenschaften Talent Projet, Chinesesch Akademie vun de Wëssenschaften Instrument an Equipement Funktioun Entwécklung Projet, an Entreprise uvertraut Projet.

Adjustable constant current electronic load charging treasure tester module

Upassbar konstante aktuell elektronesch Laascht Opluedstatiounen Schatz Tester Modul

 

Artikel Guide

Fluxgate Sensoren sinn eng Aart vu vektormagnetesche Sensoren déi schwaach Low-Frequenz oder DC Magnéitfelder entdecken kënnen. Wéinst hire Virdeeler an der Resolutioun, Temperatur Stabilitéit, Genauegkeet an Empfindlechkeet, si gi wäit an der magnetescher Navigatiounspositionéierung benotzt, Raum Detektioun, Mineral Detektioun, Geomagnetesch Detektioun, aktuell Detektioun an aner Felder. Fir déi opkomende Applikatioune vu Mikrokomponenten a Systemer ze treffen, d'Miniaturiséierung vu Fluxgate Sensoren ass e Fuerschungshotspot vu Fluxgate ginn Sensoren. Mikro-elektro-mechanesch System (MEMS) Veraarbechtung gëtt eng technesch Basis fir d'Miniaturiséierung vu Fluxgate Sensoren. Dëse Pabeier resüméiert d'Basisprinzipien vu Fluxgate Sensoren, an expounds d'Entwécklung Geschicht vun Mikro-Fluxgate Sensor Technologie, dorënner micromachining Technologie, PCB Technologie an MEMS Technologie. Den Entwécklungsprozess vun der MEMS Fluxgate Struktur Technologie an den Entwécklungsstatus vum MEMS orthogonal Fluxgate ginn zesummegefaasst, an den zukünftege Fuerschungsfokus an dësem Beräich ass prospektéiert.

Schlësselwierder: fluxgate sensor; MEMS; magnetesch Miessung; Applikatioun

1 Aféierung

Fluxgate Sensoren sinn eng Klass vu vektormagnetesche Sensoren déi schwaach Low-Frequenz oder DC Magnéitfelder entdecken kënnen. Traditionell Fluxgate Sensoren gi wäit an der magnetescher Navigatiounspositionéierung benotzt, Raum Detektioun, Mineral Detektioun, geomagnetesch Detektioun, aktuell Detektioun an aner Felder wéinst hire Virdeeler an der Resolutioun, Temperatur Stabilitéit, Präzisioun an Empfindlechkeet. Verschidde Mikro Dronen, handheld Apparater, Mikro Satelliten, Mikro Stroum Sensoren, kleng elektronesch Kompass, Biomedizin an aner Uwendungsfelder hu méi héich Ufuerderunge fir d'Qualitéit, volumen, Stroumverbrauch an Integratioun vu Fluxgates. Fir déi opkomende Applikatioune vu Mikrokomponenten a Systemer ze treffen, d'Miniaturiséierung vu Fluxgate Sensoren ass e Fuerschungshotspot vu Fluxgate Sensoren ginn.

2 Prinzip a Struktur vun zolidd Fluxgate

parallel fluxgate - Research Progress of Fluxgate Sensor Based on Micro Electro Mechanical System (MEMS)

parallel fluxgate - Fuerschung Fortschrëtt vun Fluxgate Sensor baséiert op Mikro Electro Mechanical System (MEMS)

3 Fluxgate Miniaturiséierung Geschicht
3.1 Micromachined Fluxgate
3.2 PCB Fluxgate
3.3 MEMS Fluxgate
4 MEMS Fluxgate Fuerschung
4.1 Technologie
4.2 Struktur
4.3 Orthogonal Fluxgate
5 Uwendung vun MEMS Fluxgate
5.1 Roboteren
5.2 Aktuellen Test
5.3 Biomagnetesch Detektioun
5.4 Weltraum Exploratioun
6 Epilog

Ofschléissend

An de leschten dräi Joerzéngten, Fluxgates hu grouss Fortschrëtter an der Miniaturiséierung gemaach, an d'Problemer vun héije Kaméidi, niddereg Empfindlechkeet, a grouss Temperaturdrift verursaacht duerch d'Miniaturiséierung vu Fluxgate goufe verbessert. MEMS Technologie ass de Moment e waarme Punkt an der Miniaturiséierung vu Fluxgates. Fluxgates mat MEMS Technologie hunn exzellent Charakteristiken wéi kleng Gréisst, Käschtegënschteg, héich Integratioun an héich passende, a si vill a ville Beräicher benotzt ginn.
An der Zukunft, MEMS Fluxgates mussen hir Struktur weider optimiséieren, Fabrikatiounsprozess, Magnéitescht Kär Material, a Circuitmatching fir Sonden mat méi héijer Empfindlechkeet ze kréien, manner Kaméidi, a besser strukturell fit. Am Moment, déi zweedimensional Fluxgate Sensor Technologie baséiert op MEMS Technologie ass zimlech reift. Et gëtt ugeholl datt mat der Entwécklung vun der MEMS Technologie, der integréiert MEMS dräi-Achs Fluxgate Sensor soll net wäit ewech ginn.

Verloossen eng Äntwert

Är Email Adress gëtt net publizéiert ginn. Néideg Felder sinn markéiert *